Авторизация
 
  • 23:36 – КВН 55 лет Кубок мэра Москвы 04 12 2016 смотреть онлайн 
  • 23:36 – ДТП под Ханты-Мансийском 4 12 2016: число погибших возросло до 12, в реанимации находится 21 ребенок 
  • 23:36 – «Синяя птица» конкурс 2016 выпуск 4 от 04.12.2016 смотреть онлайн 
  • 23:36 – Страшная авария в ХМАО, где погибли 10 детей, попала на ВИДЕО 

В смартфонах будущего будет терабайт памяти

162.158.78.223

В основе технологии — пористый оксид цинка с напылением золота и платины.

Ученые из Университета Райса в штате Техас (США) представили технологию производства RRAM — резистивной памяти с произвольным доступом, — которая позволит увеличить объем доступной "оперативки" в смартфонах и планшетниках в десятки и и даже сотни раз. Речь идет об одной из разновидностей RRAM, у которой выше плотность и ниже уровень энергопотребления, чем у "обычной" памяти. Вдобавок к этому, она более компактна.

Выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего несколько компаний. Процесс производства таких микросхем дорогостоящий и весьма сложный — он требует высоких температур и напряжения для переключения в приводящее состояние.

Исследователи из Райса предложили иной подход, позволяющий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. Он заключается в использовании пористого оксида кремния в качестве основного диэлектрического материала.

В основе технологии — пористый оксид цинка с напылением золота и платины. Модули памяти из этого материала могут хранить в сотни раз больше информации, их жизненный цикл в сто раз дольше, и они выдерживают нагревание до высоких температур, не теряя сохраненные данные

Созданные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранения информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку и обеспечивают более высокую скорость записи/чтения данных (до ста раз быстрее, чем флеш-память). Что самое важное, новая технология облегчает "укладку" слоев RRAM-памяти, что позволяет увеличить объем хранимой информации. У одного из прототипов плотность хранения данных настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку может быть умещен терабайт памяти.

Источник: Зеркало Недели

Похожие статьи:

Читать больше на i-g-t.org


КОММЕНТАРИИ:

  • Читаемое
  • Сегодня
  • Комментируют
Мы в соцсетях
  • Twitter