KAIST представляет память следующего поколения со сверхнизким энергопотреблением
Сайт университета KAIST сообщает, что исследовательская группа под руководством профессора Шинхёна Чоя разработала устройство памяти нового поколения с фазовым переходом, потребляющее минимальное количество энергии, и готовое заменить как DRAM, так и NAND флэш-память.
Память с фазовым изменением - это тип устройства памяти, которое хранит и/или обрабатывает информацию, изменяя кристаллические состояния материалов с помощью тепла, тем самым изменяя их сопротивление.
Существующие технологии памяти с фазовым изменением сталкиваются с проблемами, такими как дорогостоящее производство и значительное энергопотребление. Чтобы преодолеть эти проблемы, исследовательская группа профессора Чоя разработала устройство памяти с фазовым переходом, потребляющее минимальное количество энергии, путем электрического формирования нанометровых нитей без использования дорогостоящих процессов производства. Это значительное достижение не только снижает затраты на производство, но и позволяет устройству работать с очень малым энергопотреблением.
DRAM, одна из самых распространенных моделей памяти, обладает высокой скоростью, но зависит от энергии, что приводит к потере данных при отключении питания. NAND флэш-память, устройство для хранения данных, обладает относительно низкой скоростью чтения/записи, но сохраняет данные даже при отключении питания.
Память с фазовым изменением объединяет преимущества DRAM и NAND флэш-памяти, обеспечивая высокую скорость и энергонезависимые характеристики. Именно поэтому ее называют памятью следующего поколения, которая активно исследуется как для приложений памяти, так и для нейроморфных вычислительных систем, имитирующих работу человеческого мозга.
Однако обычные устройства памяти с фазовым переходом потребляют значительное количество энергии, что затрудняет создание продуктов большой емкости или реализацию нейроморфных вычислительных систем. Для решения этой проблемы исследовательская группа профессора Чоя разработала метод электрического формирования материалов на крайне малой площади, успешно создав устройство памяти с фазовым переходом, потребляющее 15 раз меньше энергии, чем обычные устройства, произведенные с использованием дорогостоящего оборудования для литографии.
Профессор Шинхён Чой выразил уверенность в том, что данное исследование станет основой для будущего развития электроники, открывая новые возможности для множества приложений, включая высокоплотную трехмерную вертикальную память и нейроморфные вычислительные системы.
Обсудим?
Смотрите также:
