• 16:31 – Мощи Николая Чудотворца в Санкт-Петербурге 2017: где будут выставлены, когда привезут 
  • 16:29 – День в истории: 12 июля – день Снопа Велеса 
  • 16:29 – В Киеве стартует двухдневный саммит Украина-ЕС: что стоит на повестке дня 
  • 16:29 – Новые водительские права с 2018 года: что нужно знать украинцам 


Ученые из России и США представили новое устройство для хранения огромного объема данных

Ученые из России и США представили новое устройство для хранения огромного объема данных

ЛОС-АНДЖЕЛЕС, 21 февраля. /Корр. ИТАР-ТАСС Александра Урусова/. Ученые из Российской академии наук, университета Калифорнии в городе Риверсайд и Инженерного колледжа Борнс разработали прототип голографического устройства для хранения беспрецедентного объема данных с использованием спин-волн. Об этом сообщает газета университета Калифорнии.

Речь идет о совершенно новом устройстве, которое позволит накапливать и хранить колоссальные объемы информации на миниатюрных электронных носителях. С помощью данной технологии, отмечают эксперты, в будущем можно будет создать полноценный компьютер размером с зернышко.

В новом устройстве используются уникальные свойства спин-волн - колебаний спинов в магнитных материалах, где ранее использовались световые лучи. Длина таких волн короче световых, что позволяет передавать данные с меньшими затратами и обеспечивает большую емкость для хранения информации.

Исследователи также выяснили, что возможно применять голографические методы, разработанные для оптики, к магнитным структурам.

Голографический метод подразумевает запись информации в трехмерном пространстве при помощи специальной оптики.

Таким образом, при изготовлении представленного прототипа ученые использовали смешанную технику, применив свойства магнитных носителей, голографии и способ передачи информации с помощью волн, "запечатав" информацию в созданном поле.

По словам профессора Александра Хитуна из калифорнийского университета, "полученные результаты открыли новое поле для дальнейшего исследований метода, способного внести значительный вклад в создание накопительных устройств нового поколения".

Читать больше на Itar-tass.com



Постоянный адрес материала: http://news-rbk.ru/6380-news.html
Если Вы заметите ошибку в тексте, выделите её и нажмите Ctrl+Enter, чтобы отослать информацию редактору.
ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ:
КОММЕНТАРИИ: