• 16:31 – Мощи Николая Чудотворца в Санкт-Петербурге 2017: где будут выставлены, когда привезут 
  • 16:29 – День в истории: 12 июля – день Снопа Велеса 
  • 16:29 – В Киеве стартует двухдневный саммит Украина-ЕС: что стоит на повестке дня 
  • 16:29 – Новые водительские права с 2018 года: что нужно знать украинцам 


Samsung Electronics начала производство первых в отрасли микросхем

Samsung Electronics начала производство первых в отрасли микросхем

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа GDDR5 плотностью 8 Гбит, построенных на основе 20-нм технологического процесса.

Микросхемы памяти типа GDDR5 плотностью 8 Гбит предназначены для графических карт, используемых в ПК и суперкомпьютерах, для игровых консолей и ноутбуков. Видеопамять обеспечивает огромную пропускную способность для последующей обработки больших потоков данных высококачественной графики.

В Samsung отмечают, что с ростом популярности 3D-игр и предвкушением момента, когда видеоконтент в разрешении 4K станет широко распространенным, спрос на высокопроизводительную видеопамять с высокой пропускной способностью стал быстро расти.

По данным производителя, новые микросхемы памяти типа GDDR5 характеризуются выдающейся пропускной способностью. Восемь чипов плотностью 8 Гбит позволяют получить в одном корпусе объем 8 ГБ, необходимый для игровых консолей последнего поколения.

Что же касается конкретики, новая память поддерживает скорость передачи данных 8 Гбит/с в расчете на один вывод, что примерно вчетверо выше скорости обычной памяти DDR3, широко используемой в персональных компьютерах. Кроме того, конфигурация микросхем предусматривает возможность передачи данных по 32 выводам одновременно. Для получения объема 2 ГБ достаточно использовать всего две микросхемы, которые вместе смогут обрабатывать до 64 ГБ графических изображений в секунду. Это эквивалентно обработке примерно 12 видео на дисках DVD (объем 5 ГБ) с качеством Full HD в секунду.

В ближайшем будущем южнокорейский производитель будет и дальше наращивать объемы производства 20-нм микросхем памяти различных плотностей, включая чипы плотностью 4 Гбит, 6 Гбит, 8 Гбит и кристаллы более высоких плотностей.

Читать больше на telegraf.com.ua



Постоянный адрес материала: http://news-rbk.ru/67992-news.html
Если Вы заметите ошибку в тексте, выделите её и нажмите Ctrl+Enter, чтобы отослать информацию редактору.
[related-news]
ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ:
[/related-news]
КОММЕНТАРИИ: